半導体の新しいソリューション
製造
メモリ、ロジック、向けの材料ソリューション
電源と新しいメモリアプリケーション
イノベーションとディスラプションは私たちのDNAに根付いています
Eugenusは、AI時代が現在および将来の高度なデバイスアーキテクチャの要求を満たすことを可能にする破壊的堆積システムを革新しています。
メモリコンデンサの極端なステップカバレッジ、GAAトランジスタの材料調整、パワーデバイスのバリアインテグリティ、強誘電体膜の組成制御など、当社のツールはお客様の最終用途を念頭に置いて開発されています。
特殊用途
メモリ製造
高速DRAMから超高密度3D NANDまで、当社のALDおよびCVDプラットフォームは大規模環境での信頼性を重視して構築されています。
高密度DRAMと垂直積層3D NANDに対する需要の高まりは、プロセス技術の限界を押し広げています。デバイスアーキテクチャがより複雑になるにつれて、極端なアスペクト比でコンフォーマルフィルムを実現することは非常に困難になっています。また、メーカーは、材料の完全性や歩留まりを犠牲にすることなく、ウェーハ内の厳密な均一性を維持し、プロセスのばらつきを最小限に抑え、厳しいスループット目標を達成する必要があります。
ユージナスの利点:
- Eugenusプラットフォームは、すでに世界のメモリファブで生産されています。
- バリア層、電極層、誘電体層の膜均一性とステップカバレッジは業界トップクラスです。
- メモリパフォーマンス、プロセスの安定性、および拡張性が最適化されたフルスタックソリューション。
当社の製品をご覧ください
論理
私たちは、今日の最先端のロジックノードに、新しい材料やより厳しい形状に必要な精度を提供します。
サブ5nMノードとゲートオールアラウンド（GAA）アーキテクチャにより、超高精度のゲートスタックエンジニアリングの必要性が高まっています。プロセス統合がより複雑になるにつれ、メーカーは欠陥を低く抑え、インターフェース品質を厳密に管理しなければならないというプレッシャーの高まりに直面しています。同時に、生産スケジュールの短縮により、ウェーハ全体にわたるばらつきが少なく、再現性が高いことが求められ、性能や歩留まりに妥協する余地はほとんどありません。
ユージナスの利点:
- GAA や HKMG アーキテクチャなど、高度なロジックノードをサポートするように設計されたプラットフォーム。
- 優れた適合性と再現性を備えたLaOx、TiN、およびHigh-k膜の信頼性の高い堆積法。
- 自信を持ってスケーリングできる専用ツール。
当社の製品をご覧ください
パワーデバイス
パワーエレクトロニクスには、堅牢な信頼性と材料の柔軟性が求められます。
パワーデバイスは、極端な熱負荷や電気負荷下でも高い性能を発揮することが期待されています。この課題には、優れた材料とプロセス制御が必要です。メーカーは、多くの場合、スループットや精度を犠牲にすることなく、大型のダイや厚みのあるウェーハに耐久性があり安定した膜を成膜しなければなりません。パワー半導体用途の厳しい要求を満たすには、高いフィルムの完全性と長期的なプロセス信頼性を確保することが不可欠です。
ユージナスの利点:
- パワーデバイスのバリアと誘電体堆積に最適化されたプラットフォーム。
- 安定したフィルム特性と稼働時間の延長は、高スループット、高収率生産の鍵です。
- 信頼性、材料の多様性、大規模環境での熱性能。
当社の製品をご覧ください
新たな思い出
メモリ技術が進化するにつれて、新しいメモリデバイスには新しい材料と集積の課題が伴います。
新しいメモリデバイスには、正確な組成制御を備えた超薄型の多成分酸化膜が必要であり、これは材料工学の限界を押し広げる課題です。均一性の確保、漏れの最小化、ウェーハ間の信頼性の高い切り替えを可能にすることは、さらに複雑さを増しています。特に、従来の蒸着ツールでは、これらの用途で求められる精度を実現できないことが多いためです。
ユージナスの利点:
- LaO、HfO、MoOなどの複雑な酸化物スタックの正確な時分割ALD専用プラットフォーム。
- 原子レベルの制御と、ウェーハとサイクルにわたる優れた均一性。
- 革新性と拡張性を重視して設計されており、信頼性の高い強誘電体統合をサポートします。
当社の製品をご覧ください
よりスマートで、よりクリーンで、より安全な半導体ソリューションを一緒に構築する方法を探りましょう。
